领跑国内新型存储器技术及应用赛道——新忆科技攻坚前沿技术开发新一代产品技术平台

admin 科技资讯 2024-08-26 14 0

企业/供图龙年新春伊始,位于海淀区清华科技园创新大厦的北京新忆科技有限公司(以下简称“新忆科技”)全员到岗,员工们已经投入到紧锣密鼓的研发工作中,积极开发新一代产品技术平台,“赶前抓好”开新局,铆足干劲抢先机。新型阻变存储器突显高速度与低功耗新忆科技成立于2018年,是一家拥有核心技术和自主研发能力的创新型高科技公司,公司创始团队来自清华大学,骨干成员均具有丰富的芯片设计开发和管理经验。“我们公司的主营业务是新型的阻变存储器(RRAM),包括独立式的存储器芯片和嵌入式的存储器IP。与传统的浮栅存储器相比,它的主要优势是高速度和低功耗,特别适合应用在物联网、消费电子、医疗电子、网络通信设备、汽车电子、工业控制设备和人工智能等应用场景。”新忆科技总经理王坤告诉记者。据了解,作为新型存储芯片赛道的头部企业之一,新忆科技在2023年圆满完成了各项既定目标并取得重要进展。今年年初已经完成新一年度的战略计划,完善后续发展规划。新忆科技CEO张晓平介绍:“新的一年,新忆科技将不断提升公司技术水平,持续加强资金投入和高端人才储备等工作。”开发高质量应用场景加大多供应链建设力度新型存储芯片RRAM作为一种新器件和新工艺,如何面对激烈的市场竞争?是新忆科技在开年之初思考的重点。为实现一季度“开门红”,新忆科技在企业融资、市场开拓、技术研发、供应链建设、团队建设等方面做了充足的准备。首先在企业融资方面,新忆科技在北京中关村科学城科技成长投资合伙企业领投下,在国内知名半导体领域投资机构、战略投资机构、产业链投资机构等跟投下,已确定融资额度近亿元人民币,为公司高质量发展提供坚实的基础;在市场开拓方面,2023年客户数量同比实现大幅增长,特别是和新领域大客户的合作突破明显,2024年要在此基础上不断挖掘高质量客户,开发高质量的应用场景,实现营收翻倍的目标;在技术研发方面,公司在2023年研发取得重要进展,技术从40nm跨越到28nm,嵌入式RRAMIP和独立式RRAM芯片均流片成功。今年正在重点扩充28nm高性能产品系列,并开展下一代先进工艺节点产品的开发;在供应链建设方面,2023年新忆科技已初步建成多供应链,2024年将加大多供应链的建设力度,优化供应链成本、压缩交货周期,提升供应链效率。张晓平表示,“海淀区是全国人才最密集的地方,对我们有很大的帮助,新的一年我们将重点加强研发团队特别是资深研发人员的补充,扩大研发和市场团队,在中关村科学城的助力下,取得龙年‘开门红’。”目前,新忆科技已获评国家高新技术企业、中关村高新技术企业、海淀区胚芽企业、北京市“专精特新”中小企业、北京市新技术新产品(服务)认定、第二十四届中国专利优秀奖、北京社会企业质量协会质量技术创新奖等。今年,新忆科技也将继续全力以赴,坚持科技创新,向成为国内新型存储器技术及应用的领军企业的目标不懈奋斗。(记者 韩宁)

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