全球首款SK海力士1c DDR5内存模块正式亮相

全球首款SK海力士1c DDR5内存模块正式亮相

推出全球首款 SK Hynix 1c DDR5！

节点 1c，拥有领先技术平台的第六代 10 纳米工艺 1b，最高效的开发平台

新材料和优化的 EUV 工艺可提高成本竞争力，同时提高能效，帮助数据中心降低高达 30% 的能源成本。

预计今年批量生产，2025 年大规模交付。

通过在高级 DRAM 产品中使用 1c 节点，为客户创造差异化价值

SK Hynix 宣布已开发出首款采用 1c 节点（第 6 代 10 纳米工艺）制造的 16Gb DDR5 内存。

这一成就标志着内存工艺技术开始向近 10 纳米的极致微型化迈进。

10nm 级 DRAM 技术在小型化过程中面临着越来越多的困难，但 SK Hynix 通过业界领先的 10nm 第五代 1b 技术克服了技术限制，在业界率先提高了设计封闭性。

SK Hynix 已做好在一年内大规模生产 DDR5 1c 内存的准备，并将于明年开始大规模出货。

为了最大限度地减少潜在的工艺开发错误，并最有效地将 1b 内存的优势（该内存在市场上被誉为性能最高的 DRAM）传递给客户，该公司已将 1b DRAM 平台扩展至 1c 内存开发。

新产品在极紫外光刻（EUV）工艺中使用了新材料，并优化了整个 EUV 光刻工艺，从而提高了与上一代产品相比的价格竞争力。

SK Hynix 还通过技术创新设计，将性能提高了 30% 以上。

DDR5 1c 内存将用于高性能数据中心，其运行速度为 8 Gbps，比上一代产品快 11%。

随着人工智能时代的到来，DRAM 1c 的推出，加上超过 9% 的能效提升，有望帮助数据中心将因能耗增加而产生的能源成本最多降低 30%。