全球首款1c DDR5内存由SK海力士正式发布
SK Hynix 1c DDR5：世界首创！
节点 1c，第六代 10 纳米工艺，采用业界领先的 1b 技术平台，最高效的开发流程
新材料和优化的 EUV 工艺将提高成本竞争力和能源效率，使数据中心的电力成本最多可降低 30%。
今年批量生产，2025 年批量交付。
通过将 1c 节点用于高端 DRAM 产品，为客户提供差异化价值。
SK Hynix 宣布已在 1c 节点（第六代 10 纳米工艺）上开发出业界首款 16GB DDR5 内存。
这一成功标志着内存工艺技术开始缩小到 10 纳米附近。
随着 10 纳米 D-RAM 技术越来越难以小型化，SK hynix 通过第五代 1b 级 10 纳米工艺技术设定了新的技术界限，这也是业内首个实现完美设计的技术。
SK Hynix 将于今年完成 1c DDR5 的大规模生产，并于明年开始大规模出货。
1b 被认为是性能最好的 D-RAM，为了最大限度地减少开发过程中可能出现的错误，并最大限度地发挥 1b 的优势，我们扩展了 D-RAM 1b 平台，用于开发 1c。
新产品在极紫外（EUV）光刻工艺中采用了新材料，并优化了整个 EUV 光刻工艺，与上一代产品相比提高了成本竞争力。
通过设计技术创新，SK hynix 还将生产率提高了 30% 以上。
1c DDR5 将用于高性能数据中心，预计速度将达到 8 Gbps，比上一代产品提高 11%。
D-RAM 1c 的能效提高了 9% 以上，随着人工智能时代的到来，耗电量不断增加，预计可帮助数据中心节省高达 30% 的能源成本。
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