芯片尺寸扩大可提高处理能力，但同时也考验厂商的芯片制造能力。据台湾《工商时报》9月3日援引法人消息报道，由于GPU晶粒、LSI桥接、RDL中介层和主基板之间的热膨胀系数（CTE）相异，易导致芯片翘曲、系统故障，所以为了提升良率，英伟达重新设计GPU芯片顶部金属层和凸点。不只是AI芯片RTO（重新流片）修改设计，据供应链透露，目前准备发布的50系列的显卡也需要RTO，上市时间较原计划延期。台湾《工商时报》此前于8月25日报道称，从业者估计，英伟达两年一度大改款的下一代RTX 50（名称型号未定）系列，虽然有望在第四季底前揭露消息，但新品上市的日期预计将晚至明年第一季度之后，各显卡厂新品放量日期也将推延至明年第二季度左右。关于AI芯片Blackwell，英伟达CEO黄仁勋称其有“非常非常大的GPU”，这也是目前业界面积最大的GPU，由两颗Blackwell芯片拼接而成，并采用台积电4纳米制程，拥有2080亿个晶体管，然而难免遇到封装方式过于复杂的问题。据介绍，CoWoS-L封装技术，使用LSI（本地硅互连）桥接RDL（硅中介层）连接晶粒，传输速度可达10/TBs左右。但封装步骤中，由于桥接放置精度要求极高，稍有缺陷都可能导致价值4万美元的芯片报废，从而影响良率及获利。台媒报道称，相关的芯片设计问题将不会只是英伟达所独有。供应链透露，这类问题只会越来越多，为了消除缺陷或为提高良率而变更芯片设计，在业内相当常见。AMD首席执行官苏姿丰曾透露，随着芯片尺寸不断扩大，制造复杂度将不可避免地增加。下一代芯片需要在效能和功耗方面取得突破，才能满足AI数据中心对算力的巨大需求。本文系观察者网独家稿件，未经授权，不得转载。
